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Dall’USA un transistor flessibile per la tecnologia indossabile


In passato vi abbiamo già parlato degli aspetti relativi agli sviluppi dell’hardware utile all’industria dei wearable, ma nelle ultime ore un’interessante novità ci giunge direttamente dall’Università del Wisconsin, dove un gruppo di ricercatori ha messo a punto un nuovo metodo di realizzazione di transistor grazie al quale sarà possibile ottenere delle soluzioni flessibili, ad alte prestazioni, con capacità wireless e a basso costo. Scopriamo di più su questo transistor flessibile!

Transistor flessibile ad alte prestazioni per wearable

Il gruppo di lavoro, guidato dal Prof. Zhenqiang Ma, è riuscito nell’impresa di realizzare un transistor in grado di operare fino a 110 gigahertz (almeno secondo le simulazioni eseguite in laboratorio), anche se la frequenza operativa “standard” sarà pari a 38 gigahertz. L’utilizzo di questo sensore potrebbe essere molto utile nella realizzazione di dispositivi indossabili e questo principalmente perché sarà in grado di trasmettere dati (o anche energia) in modalità wireless.

La realizzazione è basata sulle tecniche litografiche, ovvero quell’approccio che, utilizzando luce e sostanze chimiche nel modellamento dei transistor flessibili, evita così le limitazioni causate dal fenomeno della diffrazione della luce e altre problematiche comuni in questo settore.

I circuiti sono stati modellati sul transistor flessibile (posto su un substrato in PET) mediante un processo a bassa temperatura, realizzando così la c.d. litografia nanoimprint.

A differenza dei metodi classici in cui viene utilizzato il c.d. dopaggio selettivo per l’introduzione, in questo specifico caso, della conduttività elettrica in quanto elemento di “impurità”, i ricercatori del Wisconsin hanno preferito ricoprire tutto il silicio monocristallino con un dopante.

Insomma, inutile continuare nella descrizione tecnica di tutto il processo, decisamente fuori portata della maggior parte di voi lettori (ma anche di noi di Gizwear). Ciò che conta è sottolineare che il transistor risultante da tale lavorazione è in grado di offrire delle prestazioni migliori con un corrispondente consumo minore di energia.

Inoltre, questo metodo permette di creare delle soluzioni dalle dimensioni più ridotte rispetto a quelle ottenibili con i processi tradizionali, offrendo così la potenziale possibilità ai produttori di chip di inserire un numero maggiore di transistor su un dispositivo elettronico.

Un’ottima notizia, quindi, per il settore dei wearable, un’industria che, per ovvie ragioni di dimensioni dei device, potrebbe beneficiare di tali scoperte.

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